光刻機，被譽為芯片產(chǎn)業(yè)的皇冠明珠，曾經(jīng)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)，它被視為比還稀缺的存在，制造難度極高，工藝復雜，涉及多國頂尖技術(shù)的集成。

然而，在前幾天項立剛表示，這顆曾經(jīng)被人垂青的明珠如今卻正在逐漸變成中國自主掌控的玻璃珠，標志著中國芯片產(chǎn)業(yè)了新的起點。

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早在上世紀80年代，中國就已經(jīng)開始了自主研制光刻機的嘗試，然而，由于當時基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)實力有限，加之缺乏關(guān)鍵零部件供給，這一努力最終不得不放棄。

主要基于光刻機是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，代表了集成電制造的最高技術(shù)水平玻璃珠。

掌握了光刻機，就等于掌握了芯片制造的命門，直接關(guān)系到一個國家在電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。

由于芯片產(chǎn)業(yè)被認為是支撐國家綜合國力的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，擁有先進的芯片設(shè)計和制造能力意味著在國防、航空航天、人工智能等領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢。

國家出于自身戰(zhàn)略利益的需求，不希望中國在芯片領(lǐng)域取得重大突破，因為中國是國家的主要經(jīng)濟競爭對手，中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有利于國家在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷地位。

另一方面，一些國家擔心，如果中國掌握了先進芯片制造技術(shù)，可能會將其用于軍事等領(lǐng)域，從而到國家的，因此，對中國實施技術(shù)成為一種防范措施。

最后，光刻機技術(shù)高度復雜精密，很多關(guān)鍵零部件和技術(shù)都掌握在國家手中，出于知識產(chǎn)權(quán)的考慮，國家不愿意將這些核心技術(shù)轉(zhuǎn)讓給中國。

直到近年來，隨著國家持續(xù)大力投入和科研實力的不斷增強，中國才在這一領(lǐng)域取得了突破性進展。

經(jīng)過20多年的自主研發(fā)，上海微電子在ArF(193納米)和KrF(248納米)光刻機領(lǐng)域達到了國際先進水平。

其ArF和KrF光刻機已實現(xiàn)批量供貨，成為華為海思、紫光展銳等龍頭芯片企業(yè)的重要供應商。

華卓精科則在EUV(13.5納米)極紫外光刻機領(lǐng)域取得突破，EUV光刻機是目前最先進的光刻設(shè)備，可實現(xiàn)5納米及以下的超精細制程。

而華為憑借這一技術(shù)實現(xiàn)了7納米芯片的量產(chǎn)，結(jié)束了長期依賴進口的被動局面。

中微半導體則專注于I-line(365納米)光刻機的研發(fā)，經(jīng)過十幾年的努力，終于實現(xiàn)了國產(chǎn)替代，只不過距離真正的I-line光刻機還有有些差距。

與此同時，中微半導體還在加緊推進14納米技術(shù)的研發(fā)，有望在未來兩到三年內(nèi)投產(chǎn)。

除上述三家龍頭企業(yè)外，國內(nèi)還涌現(xiàn)出一批技術(shù)實力不俗的新興公司，如中科精華、常州新威半導體、納芯科技等，分別在ArF、KrF和EUV等不同技術(shù)線上取得進展。

可以說，中國自主研發(fā)的光刻機已在很多領(lǐng)域取得了重要突破，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，在ArF和KrF光刻機領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已經(jīng)很高了。

在28納米及以上制程的I-line光刻機上，國產(chǎn)替代已初見成效;而在14納米及以下先進制程，多家企業(yè)的技術(shù)線圖已漸趨清晰。

然而，與國際先進水平相比，中國光刻機產(chǎn)業(yè)仍存在一定差距，最突出的短板在于EUV光刻機，該技術(shù)目前仍被荷蘭ASML公司完全壟斷。

為實現(xiàn)徹底的自主可控，中國制定了明確的發(fā)展線納米制程工藝的國產(chǎn)化，用國產(chǎn)光刻機滿足80%以上國內(nèi)芯片企業(yè)的需求。

3年之內(nèi)，則將力爭打破EUV光刻機的技術(shù)壟斷，成為全球第一家掌握EUV量產(chǎn)技術(shù)的光刻機生產(chǎn)商。

科研人員咬牙苦干，通過自主創(chuàng)新，逐步掌握了光刻機所需的關(guān)鍵技術(shù)，不斷提高本土零部件的自制能力。

中國在光刻機領(lǐng)域取得的成就，只是自主創(chuàng)新征程中的一個里程碑，未來，中國將繼續(xù)瞄準EUV光刻機等先進技術(shù)。

目前，全球芯片制程發(fā)展的最新方向就是EUV，它利用極紫外線短波長描繪芯片圖紋，可在同樣尺寸上放置更多電元件，大幅提高芯片的集成度。

X射線光刻機利用波長更短的X射線納米甚至更精細的芯片制程，有望成為EUV的繼任者。

當然，X射線光刻機在制造和應用上也面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，比如掩模板的制造工藝異常復雜且昂貴，X射線的控制和安全防護也存在一定困難。

不過，這些困難并不能中國人的決心，事實上，多家單位已經(jīng)在X射線光刻機領(lǐng)域展開了前瞻性研究，取得了初步進展，為未來突破奠定基礎(chǔ)。

從光刻機的發(fā)展歷程可以看出，中國突破技術(shù)的決心是堅定的，自主創(chuàng)新的內(nèi)生動力也是充沛的。

回顧中國在光刻機領(lǐng)域的發(fā)展歷程，其中的曲折和艱辛可以說是整個中國科技自立自強進程的一個縮影。

從早期的自主研制與中途放棄，到后來依賴進口受制于人，再到如今重新自主可控取得突破，中國芯片產(chǎn)業(yè)走過了一條漫長而曲折的道。

當前，即便已取得重大突破，但中國芯片產(chǎn)業(yè)的整體自主水平仍有待提高，本土化程度也有進一步提升的空間。

無論面臨何種困難和，中國必將以自主創(chuàng)新的力量突破重圍，譜寫規(guī)則的嶄新篇章，因為，對于充滿雄心壯志的中國來說，沒有什么是真正無法突破的!

觀察者網(wǎng)——2024-06-05《英特爾CEO：如果美出口管制太嚴，中國就必須生產(chǎn)自己的芯片》